CIONE 4” 한 대로 RIE, PE모드 두가지가 가능하여, 표면의 물질 제거는 물론, 표면 처리도 가능한 장비입니다. (샘플 사이즈: 4인치 웨이퍼 기준)
Key Features:
- 듀얼모드: RIE (활성 이온 우세) & PE (중성자 우세)
- 용접을 하지 않은 알류미늄 통가공 챔버 (사이즈: 140 × 200 × 110 mm)
- 챔버내 균일한 가스 흐름 (특허 10-1697205)
- 플라즈마 발생기 (LF: 20~100 kHz / Power: Max. 100W)
- 가스 흐름 제어기 (Max. 100 sccm / 최대 3 라인)
- 시스템 크기: 440 × 500 × 560 mm (W×D×H)
Applications:
- 반도체 & MEMS
- 고분자 식각
- 이차원 반도체 처리
- 바이오 메디컬 분야
화학 & 신소재 연구